8月15日至17日,2025年IEEE亚洲宽禁带功率器件与应用研讨会(IEEE WiPDA-Asia 2025)在北京召开。会议由IEEE电力电子学会主办,bb贝博艾弗森官方网站与清华大学共同承办,中国电源学会、天津工业大学、华南理工大学、合肥工业大学、北京交通大学、北京信息科技大学共同协办。bb贝博艾弗森官方网站副院长(主持工作)兼党委副书记李虹教授担任大会主席,bb贝博艾弗森官方网站应用电子学系主任张军明教授和清华大学电机系党委书记郑泽东教授担任大会共同主席。会议设置主旨演讲、专题论坛、工业论坛、口头报告及海报展示等多元环节,吸引了全球60余家机构、200余位学者参会。
全体参会者合影
16日的开幕式上,清华大学常务副校长曾嵘、bb贝博艾弗森官方网站副校长王靖岱分别代表承办高校致欢迎辞,中国电源学会理事长刘进军代表学会致欢迎辞,大会主席李虹教授致开幕辞。开幕式由大会共同主席郑泽东教授主持。
16日的主旨报告由大会技术程序委员会主席、天津工业大学梅云辉教授和大会技术程序委员会共同主席、哈尔滨工业大学王懿杰教授联合主持。湖州师范学院副校长、bb贝博艾弗森官方网站电力电子应用技术国家工程研究中心主任盛况教授,北京航空航天大学副校长赵巍胜教授(IEEE Fellow),西班牙塞维利亚大学Jose I. Leon教授(IEEE Fellow),清华大学张品佳教授,分别就“宽禁带功率器件最新进展”、“面向未来电子的自旋集成芯片”、“功率变换系统中功率器件剩余寿命延长技术”、“功率器件状态监测与健康管控”等主题作精彩报告。
17日的主旨报告由清华大学孙凯教授和bb贝博艾弗森官方网站陈敏教授联合主持。瑞士苏黎世联邦理工学院电力电子系统实验室主任Johann W. Kolar教授(IEEE Fellow),香港科技大学Kevin Jing Chen教授(IEEE Fellow),美国PowerAmerica执行主任兼CTO Victor Veliadis博士(IEEE Fellow),美国佛罗里达大学Shuo Wang教授(IEEE Fellow),分别围绕“链接创新——下一代单级变换器概念”、“拓展GaN功率集成新边界”、“SiC功率器件商业化障碍”、“宽禁带功率电子系统传导、近场及辐射电磁干扰”等前沿议题展开深入分享。报告内容涵盖器件制造、封装、性能表征、建模、高效紧凑变换器、热设计及可靠性等热点,全面展现了宽禁带功率器件与应用领域的最新成果。
大会专题论坛由清华大学赵彪教授、南洋理工大学唐燚教授、清华大学刘佳鹏助理研究员共同主持,论坛主要面向宽禁带功率器件领域新秀或希望了解最新进展的学者,帮助夯实核心知识、提升实践能力。工业论坛由北京航空航天大学丁晓峰教授与新加坡国立大学赵震宇教授联合主持。怀柔实验室新型电力系统研究中心副主任、南方电网新型电力系统(北京)研究院副院长魏晓光、清纯半导体(宁波)有限公司首席科学家/博士孙博韬、Infineon’s Fellow SiC Innovation & Industrialization Peter Friedrichs、广东大比特网络科技有限公司分析师石轩、北京卫星制造厂有限公司研究员万成安、南京南瑞半导体有限公司产品研发中心芯片设计工程师朱郑允,分别就“超高压直流输电用IGCT器件容量提升技术”、“下一代SiC MOSFET器件及其动态可靠性研究”、“宽禁带器件赋能电力电子颠覆性解决方案”、“核心功率器件政策解读”、“宽禁带半导体功率器件航天应用可靠性技术探讨”、“SiC功率器件在智能配电网中的应用”等主题发表洞见,为技术与产业的融合发展提供了宝贵参考。
本届会议还特别设置了“女工程师早餐俱乐部”,聚焦工程研究领域性别平等,彰显女性在工程科技中的卓越贡献,并邀请到了业内专家出席本次活动,其中包括中国女科技工作者协会常务副会长孙丽丽院士、IEEE PELS亚太区副主席孙凯教授、中国科协原党组副书记、副主席程东红博士、IEEE WiPDA-Asia 2025大会主席、bb贝博艾弗森官方网站李虹教授、IEEE PES WIP前主席李若梅博士、塞维利亚大学名誉教授Leopoldo G. Franquelo教授、英飞凌零碳工业功率事业部高级工程师赵佳女士、美国Power America执行主任兼CTO Victor Veliadis博士、《财新周刊》高级记者徐路易女士等。
会议期间还颁发了“青年科学家奖”、“最佳论文奖”、“最佳学生论文奖”、“最佳合作伙伴奖”等多项荣誉。
青年科学家奖 最佳论文奖
最佳学生论文奖 最佳合作伙伴奖
为期三天的会议,各板块组织有序、学术氛围浓厚,宽禁带功率器件领域学者踊跃交流讨论,有效增进了相互了解与合作。